Δικτυακός χειριστήρας αγγίγματος 3 καναλιών Ic με διεπαφή I2C MPR032EPR2
Τιμή: Negotiable
MOQ: Negotiable
Ωρα παράδοσης: Negotiable
Υψηλό Φως:3 Channel capacitive touch controller ic, MPR032EPR2 capacitive touch controller ic
The MPR032EPR2,from Freescale / NXP,is Capacitive Touch Sensors.what we offer have competitive price in the global market,which are in original and new parts.If you would like to know more about the products or apply a lower price, please contact us through the “online chat” or send a quote to us! Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
NXP USA Inc. LDMOS 1.93GHz - 1.99GHz Τρανζιστοί με 13dB κέρδος
Τιμή: Negotiable
MOQ: Negotiable
Ωρα παράδοσης: Negotiable
RF Mosfet 26 V 850 mA 1.93GHz ~ 1.99GHz 13dB 18W NI-780H-2L Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Συχνότητα 150 MHz NPN Διπολικό τρανζίστορ 80 mA Μέγιστο ρεύμα 50V Συλλέκτης Διακοπή 100mW Panasonic SSSMini3-F1
Τιμή: Negotiable
MOQ: Negotiable
Ωρα παράδοσης: Negotiable
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 150 MHz 100 mW Surface Mount SSSMini3-F1 Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Διακριτικό NPN Προπροσδιορισμένο Τρανζίστορα 100mA 50V Επιφανειακή τοποθέτηση 200mW Δύναμη Panasonic MINI3-G3-B - Σταμάτησε
Τιμή: Negotiable
MOQ: Negotiable
Ωρα παράδοσης: Negotiable
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount MINI3-G3-B Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
1000W LDMOS Δύναμη RF FETs για τοποθέτηση σασί 110V 1,03GHz Δύο τρανζίστορες NXP USA Inc.
Τιμή: Negotiable
MOQ: Negotiable
Ωρα παράδοσης: Negotiable
RF Mosfet 50 V 150 mA 1.03GHz 20dB 1000W NI-1230 Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Επιφανειακή τοποθέτηση JFET Semiconductor 25V 15mA N Channel Discrete Components από την NXP USA Inc.
Τιμή: Negotiable
MOQ: Negotiable
Ωρα παράδοσης: Negotiable
RF Mosfet SOT-23 (TO-236AB) Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
NXP USA Inc. ενεργός χύδης PDTA144VM τρανζίστορ για εφαρμογές τάσης
Τιμή: Negotiable
MOQ: Negotiable
Ωρα παράδοσης: Negotiable
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
150MHz NPN Προπροσανατολισμένο τρανζίστορ 50V Επιφάνεια ρήξης Πανάσικ SMini3-F2 Δύναμη 150mW
Τιμή: Negotiable
MOQ: Negotiable
Ωρα παράδοσης: Negotiable
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 MHz 150 mW Surface Mount SMini3-F2 Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Παρωχημένα LDMOS RF FETs 65V 23W 2.16-2.17GHz 13.5dB κέρδος - NXP USA Inc.
Τιμή: Negotiable
MOQ: Negotiable
Ωρα παράδοσης: Negotiable
RF Mosfet 28 V 1.05 A 2.16GHz ~ 2.17GHz 13.5dB 23W NI-780H-2L Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Ενεργός χύδης NXP USA Inc. PDTA14 Διακριτός διπολικός τρανζίστορας
Τιμή: Negotiable
MOQ: Negotiable
Ωρα παράδοσης: Negotiable
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Παρωχημένο NXP USA Inc. 120V Δύο LDMOS RF FETs 225MHz 125W 25dB Gain Chassis Mount Transistor
Τιμή: Negotiable
MOQ: Negotiable
Ωρα παράδοσης: Negotiable
RF Mosfet 50 V 2.6 A 225MHz 25dB 125W NI-1230-4H Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Παρωχημένο NXP USA Inc. LDMOS Τρανζιστοί 2.69GHz 15.6dB Κέρδος 28W Έκδοση Τάξι
Τιμή: Negotiable
MOQ: Negotiable
Ωρα παράδοσης: Negotiable
RF Mosfet 28 V 900 mA 2.69GHz 15.6dB 28W NI-780H-2L Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Παρωχημένα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της Panasonic UNR511 PNP Προπροσανατολισμένο τρανζίστορ για συχνότητα μετάβασης 80MHz
Τιμή: Negotiable
MOQ: Negotiable
Ωρα παράδοσης: Negotiable
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 80 MHz 150 mW Surface Mount SMini3-F2 Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Παρωχημένα NXP USA Inc. BF245 JFET 30V N Channel TO-92-3 Τρανζίστορες για εφαρμογές ραδιοσυχνοτήτων 100MHz
Τιμή: Negotiable
MOQ: Negotiable
Ωρα παράδοσης: Negotiable
RF Mosfet 15 V 100MHz TO-92-3 Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Παρωχημένο NXP USA Inc. PNP Προπροσανατολισμένο διπολικό τρανζίστορ 50V τάση διακοπής 250mW ισχύς SMT3 επιφάνειας
Τιμή: Negotiable
MOQ: Negotiable
Ωρα παράδοσης: Negotiable
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount SMT3; MPAK Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Παρωχημένο NXP USA Inc. PNP Pre Biased Transistor SC-75 150mV 500μA 10mA 50V 150mW Επιφανειακή τοποθέτηση διακριτή
Τιμή: Negotiable
MOQ: Negotiable
Ωρα παράδοσης: Negotiable
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount SC-75 Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Επιφανειακή τοποθέτηση LDMOS RF FETs 65V 24W Ηλεκτρική ισχύς 1.88GHz Δύο διαμορφώσεις συχνότητας NXP NI-780S-4L
Τιμή: Negotiable
MOQ: Negotiable
Ωρα παράδοσης: Negotiable
RF Mosfet 28 V 500 mA 1.88GHz ~ 1.91GHz 16dB 24W NI-780S-4L Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
22W LDMOS RF FETs 1.99GHz Τρανζιστοί στο πλαίσιο - NXP USA Inc.
Τιμή: Negotiable
MOQ: Negotiable
Ωρα παράδοσης: Negotiable
RF Mosfet 28 V 900 mA 1.99GHz 16.1dB 22W NI-780H-2L Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
NXP USA Inc. 1.99GHz 65V LDMOS Τάξις Φόρος RF FETs 24W Τρανζίστορα
Τιμή: Negotiable
MOQ: Negotiable
Ωρα παράδοσης: Negotiable
RF Mosfet 28 V 750 mA 1.99GHz 18dB 24W NI-780S Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Παρωχημένα 70V LDMOS RF FETs 960MHz 65W 19.4dB Τρανζίστορες ημιαγωγών NXP USA Inc.
Τιμή: Negotiable
MOQ: Negotiable
Ωρα παράδοσης: Negotiable
RF Mosfet 28 V 1.6 A 960MHz 19.4dB 65W NI-780H-2L Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος