Σπίτι Προϊόντα Βίντεο Μας
Κίνα Σύστημα αναψύξης RTP-SA-8 για ταχεία θερμική επεξεργασία προς πώληση

Σύστημα αναψύξης RTP-SA-8 για ταχεία θερμική επεξεργασία

Τιμή: Negotiable
MOQ: Negotiable
Ωρα παράδοσης: 3 month
Μάρκα: Ganova
Υψηλό Φως:Boost Production Rapid Thermal Processing, Rapid Thermal Processing Annealing System
1.Basic configuration of equipment system 1.1outline The Rapid Thermal Processing is a vertical semi-automatic 8-inch wafer rapid annealing furnace, which uses two layers of infrared halogen lamps as heat sources for heating. The internal quartz cavity is insulated and insulated, and the outer shell... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα το γρήγορο θερμικό ανοπτώντας σύστημα 150mm με τρία σύνολα επεξεργάζεται τα αέρια προς πώληση

το γρήγορο θερμικό ανοπτώντας σύστημα 150mm με τρία σύνολα επεξεργάζεται τα αέρια

Τιμή: Negotiable
MOQ: 1
Ωρα παράδοσης: 8-10week days
Μάρκα: GaNova
Υψηλό Φως:150mm Rapid Thermal Annealing System, desktop rapid thermal processing equipment, Wafer Rapid Thermal Annealing System
RTP-150RL Rapid Thermal Annealing System with Three Sets Process Gases RTP-150RL: Is in the protection atmosphere of the desktop manual rapid annealing system, with infrared visible light heating single piece Wafer or sample, short process time, high temperature control precision, suitable for 2-6 i... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF προς πώληση

Ναρκωμένη Φε ειδική αντίσταση υποστρωμάτων GaN > 10 ⁶ Ω·Συσκευές εκατ. RF

Τιμή: Negotiable
MOQ: Negotiable
Ωρα παράδοσης: 3-4 week days
Μάρκα: GaNova
Υψηλό Φως:ISO GaN Substrates, gan semiconductor wafer, Fe Doped GaN Substrates
2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The achieved breakdown voltage of the Fe-doped GaN epitaxial layer can be as high as 2457 V, which is attributed to the Fe-doped GaN epitaxial layer with higher resistance, which can sustain... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα 625um σε 675um κρυσταλλική γκοφρέτα GaN 4 μπλε οδηγήσεων ίντσας στον επίπεδο σάπφειρο SSP σαπφείρου προς πώληση

625um σε 675um κρυσταλλική γκοφρέτα GaN 4 μπλε οδηγήσεων ίντσας στον επίπεδο σάπφειρο SSP σαπφείρου

Τιμή: Negotiable
MOQ: Negotiable
Ωρα παράδοσης: 3-4 week days
Μάρκα: GaNova
Υψηλό Φως:625um GaN Epitaxial Wafer, SSP gan on sapphire wafers, 675um GaN Epitaxial Wafer
Substrate Thickness 650 ± 25 μm 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire 4 inch Blue LED GaN epitaxial wafer on sapphire SSP For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of nonlinear optical frequency-doubling. Its sensitiv... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα Γ-επίπεδη γκοφρέτα υποστρωμάτων σαπφείρου JDCD08-001-006 6inch προς πώληση

Γ-επίπεδη γκοφρέτα υποστρωμάτων σαπφείρου JDCD08-001-006 6inch

Τιμή: Negotiable
MOQ: Negotiable
Ωρα παράδοσης: Negotiable
JDCD08-001-006 6inch C-Plane Sapphire Substrate Wafer Sapphires are Second Only to Diamonds in Durability Diamond is the most durable naturally occurring element on earth and ranks as a 10 out of 10 on Mohs Scale of Mineral Hardness. Sapphires are also very durable and rank as a 9 out of 10 on Mohs ... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα GaN 2 ιντσών νιτρικό γαλλίου μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα προς πώληση

GaN 2 ιντσών νιτρικό γαλλίου μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα

Τιμή: Negotiable
MOQ: 1
Ωρα παράδοσης: Negotiable
Μάρκα: Ganova
Υψηλό Φως:GaN Gallium Nitride Single Crystal Substrate, 2inch Gallium Nitride Single Crystal Substrate
Un-Doped Freestanding GaN Substrate 1, Overview of Gallium Nitride Single Crystal Substrate(GaN substrate) Gallium nitride single crystal substrate (GaN substrate)is an important component required in the preparation process of gallium nitride (GaN) crystals, and it is the substrate on which gallium... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα Μοναδικό Κρυστάλλιο Gan Epi Wafer Gallium Nitride Substrate 4 ίντσες προς πώληση

Μοναδικό Κρυστάλλιο Gan Epi Wafer Gallium Nitride Substrate 4 ίντσες

Τιμή: Negotiable
MOQ: 1
Ωρα παράδοσης: Negotiable
Μάρκα: Ganova
Υψηλό Φως:single crystal gan epi wafer, 4 Inch gan epi wafer, single crystal gan substrate
Introduction to 4-inch iron doped gallium nitride single crystal GaN substrate 4-inch iron doped gallium nitride single crystal GaN substrate is a single crystal substrate made of gallium nitride (GaN) material, which improves its electrical properties by doping iron elements. Gallium nitride (GaN) ... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα 4 ίντσες Φε ντοπιζόμενο ανεξάρτητο υπόστρωμα GaN νιτρώδιο του γαλλίου προς πώληση

4 ίντσες Φε ντοπιζόμενο ανεξάρτητο υπόστρωμα GaN νιτρώδιο του γαλλίου

Τιμή: Negotiable
MOQ: 1
Ωρα παράδοσης: Negotiable
Μάρκα: Ganova
Υψηλό Φως:4 Inch gan substrate, Fe Doped gan substrate, Freestanding gan substrate
Introduction to 4-inch iron doped gallium nitride (GaN) single crystal substrate 4-inch iron doped gallium nitride (GaN) single crystal substrate is a single crystal substrate made of gallium nitride (GaN) material, which improves its electrical properties by doping iron elements. Gallium nitride (G... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα 2 ιντσών συσκευή ισχύος υψηλής κινητικότητας ηλεκτρονίων τρανζίστορ επιταξιακή πλάκα προς πώληση

2 ιντσών συσκευή ισχύος υψηλής κινητικότητας ηλεκτρονίων τρανζίστορ επιταξιακή πλάκα

Τιμή: Negotiable
MOQ: 5
Ωρα παράδοσης: Negotiable
Μάρκα: Ganova
Υψηλό Φως:sic epitaxial wafer 2 Inch, Power Device sic epitaxial wafer, High Electron Mobility Transistor Epitaxial Wafer
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα 625um έως 675um 4 ίντσες Μπλε LED νιτρίδιο γαλλίου GaN Επιταξιακή πλάκα σε ζαφείρι SSP επίπεδο ζαφείρι προς πώληση

625um έως 675um 4 ίντσες Μπλε LED νιτρίδιο γαλλίου GaN Επιταξιακή πλάκα σε ζαφείρι SSP επίπεδο ζαφείρι

Τιμή: Negotiable
MOQ: 5
Ωρα παράδοσης: 3-4 week days
Μάρκα: GaNova
Υψηλό Φως:625um gan epi wafer, 675um gan epi wafer, 4 inch gan epitaxial wafer
Substrate Thickness 650 ± 25 μm 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire 4 inch Blue LED gallium nitride GaN epitaxial wafer on sapphire SSP For example, gallium nitride (GaN) is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of nonlinear optica... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα ALN 10*10mm2 AlN Μονόκρυσταλλικός 400±50μM S/P/R βαθμός προς πώληση

ALN 10*10mm2 AlN Μονόκρυσταλλικός 400±50μM S/P/R βαθμός

Τιμή: Negotiable
MOQ: 1
Ωρα παράδοσης: Negotiable
Μάρκα: GaNova
Υψηλό Φως:ALN aluminum nitride wafer, 2H aluminum nitride wafer, 10*10mm2 aln wafer
AlN substrate is one of the most popular ceramic substrate which has excellent heat resistance, high mechnical strength , abrasion resistance and small dielectric loss . The surface of AlN substrate is quite smooth and low porosity . Aluminium Nitride has higher thermal conductivity , compared to al... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα 2 ίντσες GaN σε Silicon HEMT Epi σφαιρίδιο για συσκευή ισχύος προς πώληση

2 ίντσες GaN σε Silicon HEMT Epi σφαιρίδιο για συσκευή ισχύος

Τιμή: Negotiable
MOQ: 5
Ωρα παράδοσης: Negotiable
Μάρκα: Ganova
Υψηλό Φως:GaN On Silicon HEMT Epi Wafer, 2 Inch Epi Wafer, Power Device Epi Wafer
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα 2 ′′ 6 ιντσών N τύπου GaN σε σαφείρινο επιταξιακό βάφρο για συσκευή LED Laser PIN προς πώληση

2 ′′ 6 ιντσών N τύπου GaN σε σαφείρινο επιταξιακό βάφρο για συσκευή LED Laser PIN

Τιμή: Negotiable
MOQ: 5
Ωρα παράδοσης: 3-4 weeks
Υψηλό Φως:2inch gan epi wafer, 6inch gan epi wafer, N Type gan epi wafer
Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw materials for semiconductor chips. Epiaxial wafer manufacturers use CVD (Chemical Vapor D... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα 1 ίντσες AlN μονοκρυσταλλική πλάκα 400±50μM βαθμός S/P/R προς πώληση

1 ίντσες AlN μονοκρυσταλλική πλάκα 400±50μM βαθμός S/P/R

Τιμή: Negotiable
Ωρα παράδοσης: Negotiable
Μάρκα: GaNova
Υψηλό Φως:1 Inch aln wafer, aln wafer 1 Inch, aluminum nitride wafer aln
AlN substrate is one of the most popular ceramic substrate which has excellent heat resistance, high mechnical strength , abrasion resistance and small dielectric loss . The surface of AlN substrate is quite smooth and low porosity . Aluminium Nitride has higher thermal conductivity , compared to al... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα Επταξιακή πλάκα GaN απαραίτητη για την παραγωγή τσιπ υψηλής τάσης υψηλής συχνότητας προς πώληση

Επταξιακή πλάκα GaN απαραίτητη για την παραγωγή τσιπ υψηλής τάσης υψηλής συχνότητας

Τιμή: Negotiable
MOQ: 5
Ωρα παράδοσης: 3-4 weeks
Μάρκα: Ganova
Υψηλό Φως:Chip Production gan epi wafer, Chip Production GaN Epitaxial Wafers, Chip Production GaN epi-wafers
Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw materials for semiconductor chips. Epiaxial wafer manufacturers use CVD (Chemical Vapor D... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα Αντικατάστατο AlGaN 4 ίντσες GaN στο Silicon HEMT Epi wafer νιτρίδιο γαλλίου GaN-on-Si προς πώληση

Αντικατάστατο AlGaN 4 ίντσες GaN στο Silicon HEMT Epi wafer νιτρίδιο γαλλίου GaN-on-Si

Τιμή: Negotiable
MOQ: 5
Ωρα παράδοσης: Negotiable
Μάρκα: Ganova
Υψηλό Φως:4 inch sic epitaxial wafer, 4 inch sic epi wafer, 4 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα 6 ίντσες GaN σε πυρίτιο HEMT Epi Wafer Power Device Νιτρικό Γαλλίου GaN σε Si προς πώληση

6 ίντσες GaN σε πυρίτιο HEMT Epi Wafer Power Device Νιτρικό Γαλλίου GaN σε Si

Τιμή: Negotiable
MOQ: 5
Ωρα παράδοσης: Negotiable
Μάρκα: Ganova
Υψηλό Φως:6 Inch sic epitaxial wafer, 6 Inch sic epi wafer, 6 Inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα GaN βιόλετ λέιζερ σε πυρίτιο 2 ίντσες GaN σε πυρίτιο HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer προς πώληση

GaN βιόλετ λέιζερ σε πυρίτιο 2 ίντσες GaN σε πυρίτιο HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer

Τιμή: Negotiable
MOQ: 5
Ωρα παράδοσης: Negotiable
Μάρκα: Ganova
Υψηλό Φως:2 inch sic epitaxial wafer, 2 inch sic epi wafer, 2 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα 2 ίντσες GaN στο Σιλικόνιο Μπλε LD Epi Wafer GaN μπλε λέιζερ στο Σιλικόνιο προς πώληση

2 ίντσες GaN στο Σιλικόνιο Μπλε LD Epi Wafer GaN μπλε λέιζερ στο Σιλικόνιο

Τιμή: Negotiable
MOQ: 5
Ωρα παράδοσης: Negotiable
Μάρκα: Ganova
Υψηλό Φως:2 inch sic epitaxial wafer, 2 inch sic epi wafer, 2 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα Μπλε LED GaN σε κυψέλη πυριτίου Μπλε λέιζερ GaN επιταξιακή κυψέλη προς πώληση

Μπλε LED GaN σε κυψέλη πυριτίου Μπλε λέιζερ GaN επιταξιακή κυψέλη

Τιμή: Negotiable
MOQ: 5
Ωρα παράδοσης: Negotiable
Μάρκα: Ganova
Υψηλό Φως:Silicon Based Gallium Nitride Epitaxial Wafer, HEMT epitaxial wafer, 4 inch sic epitaxial wafer
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος